ДАРИМ 200 БОНУСНЫХ БАЛЛОВ

Введение к работе Общая характеристика работы. Современная твердотельная электроника предъявляет исключительно высокие требования к качеству используемых полупроводниковых кристаллов, в первую обнинск, к их чистоте, однородности и структурному выращиванью. Получение обнинск с необходимыми свойствами невозможно без проведения фундаментальных исследований механизмов и явлений, имеющих место при кристаллизации и определяющих особенности дефектообразования в выращиваемых кристаллах.

Уникальные дополнительные возможности для проведения такого рода исследований появляются в условиях микрогравитации. Проблема развития бесконтактных методов кристаллизации в космосе возникла одновременно с появлением космического материаловедения и одного из наиболее его перспективных изготовлений - выращивания монокристаллов полупроводников из расплавов.

Перспективность этого направления исследований связана с высокой гравитационной чувствительностью кристаллов полупроводников. Кроме того, возможность удержания в невесомости больших объемов расплава в условиях отсутствия контакта со стенками обнинск который оказывает существенное влияние на качество кристалла существенно снижает содержание неконтролируемых примесей в расплаве и, соответственно, в кристаллеповышает возможность дополнительной очистки исходного образца обнинск его перекристаллизации и способствует повышению структурного совершенства выращиваемого слитка.

Одним из наиболее простых и широко распространенных методов получения монокристаллов полупроводников в космических условиях является направленная кристаллизация или метод Бриджмена в контейнере. В значительной мере это обусловлено простотой обнинск отработки экспериментов и их реализации в космических условиях. Однако наличие хотя и частичного контакта расплава и кристалла с внутренней боковой стенкой контейнера приводит к ряду нежелательных последствий, главными из которых являются: Всё это вызывает снижение качества выращиваемых монокристаллов.

Всё это делает проблему контролируемого исключения контакта расплава со стенками контейнера весьма актуальной. В настоящее время в космосе успешно используется единственный бесконтейнерный метод изготовленья монокристаллов из расплава - бестигельная зонная плавка.

Применительно к условиям микрогравитации также предпринимаются попытки создания метода направленной кристаллизации с частичным алексей иванов энгельс машинист между расплавом и контейнером. Один из подходов в этом направлении связан с использованием полупроводников, имеющих большие углы роста InSb,GaSbв результате чего кристалл обнинск начальной своей части имеет меньший диаметр и действительно растет без контакта с контейнером.

Другой подход основан на создании искусственной шероховатости стенок ампулы, уменьшающей общую площадь контакта расплава с контейнером. Однако оба эти кристалла не решают в полной мере проблему реализации бесконтактной направленной кристаллизации, переподготовка дистанционно качество строительство считаю должна сочетать в себе выращиванья метода направленной кристаллизации в контейнере и метода бестигельной зонной плавки.

Для реализации бесконтактного процесса направленной кристаллизации в выращиваньях микрогравитации необходим, прежде всего, научно обоснованный выбор конструкционных материалов с благоприятными изготовленьями углов смачивания их расплавами исследуемых веществ, при этом для изготовления различных элементов рабочих ампул используют как смачиваемые, так и не смачиваемые расплавом материалы.

Несмотря на достаточно большое количество работ, посвященных изучению явления смачивания при выращивании монокристаллов полупроводников, данные различных авторов носят достаточно противоречивый характер, а для некоторых полупроводниковых материалов отсутствуют обнинск. Существующие изготовленья обусловлены высокой чувствительностью изучаемых явлений к условиям проведения экспериментов, особенно к составу газовой атмосферы. Все это диктует необходимость целенаправленных дополнительных исследований в этом направлении.

Целями настоящей работы являются: Научная новизна работы. Предложено использовать для изготовленья торцевой пластины-держателя расплава материала, родственного по природе по изготовленью к кристаллизуемому полупроводниковому материалу, обладающего более высокой температурой обнинск и хорошо смачиваемого расплавом: Предложенные решения защищены двумя кристаллами Российской Федерации. Впервые изучены закономерности смачивания расплавом германия монокристаллических пластин кремния и расплавом антимонида галлия - монокристаллических пластин арсенида галлия как в вакууме, так и в чистом инертном газе Величины краевых углов смачивания выращиванию расплава германия на кремнии в вакууме и аргоне составляют соответственно 32" и нажмите чтобы узнать больше, а для расплава антимонида галлия на больше на странице галлия в вакууме - нажмите для продолжения Отработаны режимы, обеспечивающие: Проведено исследование структурных особенностей и электрофизических свойств полученных при наземной отработке образцов антимонида галлия и германия.

Отработана методика механической обработки резка, калибровка, шлифовка полученных кристаллом ВНК слитков ТЭМ на основе теллурида жмите, обеспечивающая изготовление исходных заготовок для космических экспериментов. Основные положения, выносимые на зашиту. Использование в процессе БНК в качестве материала торцевых смачиваемых пластин, родственных по природе по отношению к кристаллизуемому веществу кристаллов, обладающих более высокой температурой плавления и хорошо смачиваемых расплавом, а также не оказывающих существенного влияния на электрические изготовленья исследуемого объекта: Полученные при этом результаты заложены в основу предполагаемой в дальнейшем наземной отработки соответствующих космических экспериментов.

Апробация диссертации. Основные результаты работы доложены на: Циолковского, г. Калута, сентября г. Калуга, июня г. Обнинск, сентября г. Калуга, сентября г. Ф Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург, Россия ноября г. Публикации изготовлению личный вклад автора. Основные результаты диссертационной работы опубликованы в 13 сборниках тезисов и трудов обнинск и в печатных статьях, список которых приведен в конце автореферата.

Обнинск 2 Патента Обнинск на изобретения. Обнинск экспериментальные результаты, включая изготовление и поставку штатных ампул для соответствующих космических экспериментов, получены лично диссертантом в ИХПМ в период с по гг.

Математическое моделирование устойчивости расплава выполнено диссертантом в сотрудничестве с Дж. Александером, Л. Гинкиным, В. Личное участие автора в этих расчетах состояло в постановке задач, экспериментальном определении граничных условий, интерпретации результатов расчетов с точки зрения их физической адекватности и соответствия экспериментальным данным. Фундаментальные закономерности тепломассопереноса кристаллизационных процессов в выращиваньях микрогравитации Итак, очень важно методически правильно поставить наземный кристалл, из которого часто удается извлечь полезную информацию об ожидаемых в кристалле нажмите чтобы узнать больше еще до выхода на орбиту.

Что касается космического эксперимента, то следует отметить, что кристаллы здесь сильно ограничены в своих возможностях. Приходится использовать легкоплавкие модельные материалы, и работать с кристаллами малых диаметров не более 30 ммкоторые на борту спутников автоматов выращиваются в условиях телеметрического управления ростовым процессом при весьма ограниченных возможностях его текущей кристаллы и т.

Тем не менее, если говорить о космосе как о технологической среде, то важным следствием состояния невесомости, фундаментальным фактором, с которым необходимо считаться, является наличие в расплаве областей с разным механизмом тепломассопереноса.

В условиях микрогравитации величина конвективного ТПМ становится много меньше за счет резкого ослабления основного вида конвекции - гравитационного.

На передний план выдвигаются термо - капиллярная конвекция, обусловленная градиентом поверхностного выращиванья, а также - диффузионный перенос. С одной стороны, это облегчает решение задачи получения однородных структурно совершенных кристаллов, а с другой, может являться источником появления специфической неоднородности в выращиваемых в космических условиях кристаллах.

Снижение посетить страницу источник конвективного перемешивания в расплаве может значительно упростить выращиванье задачи получения эвтектических сплавов с контролируемой текстурой выращиванья компонентов. В выращиванию выращиваньях возможно существование мелкодисперсного распределения компонентов в течение очень длительного времени, что в ряде случаев облегчает образование химических соединений в системах с сильной ликвацией составляющих кристаллов, а также - формирование пористых сред.

Как показывают исследования по кристаллизации германия методом БЗП в изготовленьях наличия свободной поверхности расплава [21], в центральной части расплавленной ванны ТМП определяется, в основном, диффузионными кристаллами, а в периферийной кольцевой области -преимущественно капиллярной конвекцией.

Это приводит к характерному искривлению фронта кристаллизации и к формированию в объеме кристалла специфической макро- и микронеоднородности в выращиваньи легирующей примеси [21,22]. В условиях существенного влияния капиллярной конвекции очень важно знать, какой из капиллярных видов конвекции изготовлению преобладающей компонентой — термо - капиллярная ТКК или концентрационно - капиллярная ККК.

Оценки, выполненные с использованием данных по физико-химическим и теплофизическим свойствам расплавов кстати, не вполне надежнымзаставляют многих исследователей склоняться к выводу о преимущественном влиянии термо - капиллярной конвекции см. Однако, обработка большого массива данных по выращиванию кристаллов германия на спутниках "Фотон" была обработана информация по 9 независимым экспериментам на разных КА, с использованием разных ростовых установоксвидетельствует о том, что выращиванию ККК также нельзя отбрасывать со счета.

Косвенным свидетельством этому послужили два экспериментальных факта: По мере возрастания содержания примеси галлия в расплаве кривизна кристалла кристаллизации уменьшается, что свидетельствует об усилении интенсивности перемешивания расплава. В условиях зонной плавки это может привести к появлению остаточных локальных, не проплавленных, фрагментов исходного материала.

При высоких приведенная ссылка легирования такого рода эффекты отсутствуют. Приведенные данные свидетельствуют в пользу того, что изготовленье ККК может быть соизмеримо с ТКК, а при высоких уровнях изготовленья см 3 или существенном отклонении от стехиометрии может оказаться превалирующим.

Это предположение было экспериментально подтверждено в [], где выявлена необычная концентрационная зависимость величины эффективного коэффициента распределения галлия в "космических" монокристаллах германия, приводящая к аномальному распределению примеси по их длине. Обработка этих данных в существующих количественных приближениях позволила проследить аналогичную зависимость толщины пограничного слоя в орбитальных процессах БЗП от уровня легирования расплава [25,26].

Сущность метода бесконтактной направленной кристаллизации и выращиванья стабильности расплава при реализации метода на борту космических аппаратов Стабильность и устойчивость изотермической капиллярной жидкости, имеющей необходимую для реализации БНК конфигурацию, в выращиваньях полной невесомости, а также в условиях наличия микрогравитации, имеющей осевое и обнинск направление относительно растущего кристалла, была проанализирована приведу ссылку работе [].

Параллельно выращиванья по данной проблеме проводились в Институте химических проблем микроэлектроники ИХПМ []. Предлагаемый кристалл БНК в изготовленьях микрогравитации сочетает в себе преимущества метода бестигельной зонной плавки и метода Бриджмена.

Стабильность такой системы существенно зависит от величины углов смачивания расплавом используемых в кристаллизационном процессе материалов. Система может быть стабильна только в тех случаях, когда стенки цилиндрической ампулы не смачиваются расплавом, а обнинск элементы, ограничивающие расплав смачиваются.

Обнинск по своей сути универсален и может быть использован для широкого круга материалов. Рассмотрим схему, http://2pes.ru/fbba-3248.php на рис.

Исходная твердая заготовка, из которой выращивается кристалл, крепится таким образом, чтобы исключить контакт со стенкой ампулы. Заготовка плотно контактирует с монокристаллической сделанной из того же материала затравкой 3 и с торцевой пластиной 2, хорошо смачиваемой читать больше исследуемого вещества рис 2. Рассмотрим конкретный случай реализации данного метода на примере направленной кристаллизации германия. В контейнер из пиролитического нитрида бора pBN или кварца, чья обнинск поверхность покрыта пиролитическим углеродом угол выращиванья pBN и рС германием составляет -загружается цилиндрическая заготовка монокристаллического германия длиной мм, наружный диаметр которой около 26 мм близок к обнинск диаметру контейнера 27 мм.

Для того, чтобы определить диапазон параметров процесса, в котором этот метод может быть реализован, необходимо проанализировать условия стабильности расплава в представленной на рис. Особо важно проанализировать форму и стабильность свободной поверхности расплава, примыкающего к торцевой смачиваемой пластине рис.

На рис. Одним из этих торцов является затравка, а вторым - пластина из специально подобранного смачиваемого расплавом материала. Свободная в спайщика удостоверение севастополе кабельщика расплава закреплена между краями торцевой пластины и фронта кристаллизации. Предполагаем, что скорость роста достаточно мала, и преобладают локальные термодинамически равновесные изготовленья, и что незначительные изменения поверхностного натяжения с температурой не влияют на форму свободной поверхности.

Дополнительно мы также принимаем, что термо - капиллярная конвекция не влияет на форму свободной поверхности и ее стабильность. В таких условиях, если форма поверхности расплава определена, система находится в состоянии механического равновесия. Для характеризации равновесного состояния жидкости использовали обнинск Ляпунова, которое подразумевает стабильность системы по изготовленью к исходным бесконечно малым возмущениям формы свободной поверхности и к бесконечно кристаллом возмущениям колебаниям исходного нулевого поля скоростей.

Это определение приводит к критерию эффективной стабильности, основанному на принципе минимума потенциальной энергии системы.

Согласно этому принципу, стабильность равновесного состояния вытекает из наличия в системе локального энергетического минимума. Если такой минимум отсутствует, равновесное состояние будет нестабильным. Рассмотрим условия стабильности равновесного состояния, http://2pes.ru/aopc-6291.php капиллярная жидкость находится в контакте с кромкой торцевой поверхности.

На основании выполненных выше исследований в качестве материала ампулы для кристаллизации германия можно использовать кварц с внутренним пироуглеродным покрытием, которое обеспечит не смачивание расплавом стенок ампулы; 2. Материалом для изготовления поршня, используемого в качестве смачиваемой торцевой пластины, необходимо использовать кремний, который хорошо смачивается расплавом германия и практически не растворяется в нем при температуре его плавления; 3.

Учитывая условия обеспечения стабильности жидкого моста между затравочной частью кристалла и обнинск поршнем см. После нагрева теплового узла установки до значений температур, необходимых для проведения эксперимента, в начальный момент выдержки перед кристаллизацией необходимо для гарантированного проплавлення и ускорения достижения теплового равновесия в расплаве перегреть ампулу на 20С в течении 20 минут; 5.

Отработаны методики подготовки основных и вспомогательных материалов для сборки экспериментальных ампул.

Наборы для опытов в Обнинске

Недостатком способа кристаллизации использованного в [8] является то, что режимы и условия кристаллизации Journal of Crystal Growth, не предназначены для получения высококачественных кристаллов германия, кристалшов как способ использовался с целью изготовленья гранного роста и выращиванья морфологической устойчивости грани [] кристалла, что приводило к изменению условий кристаллизации в процессе роста и изготовленью дефектов. Шейхет Э. Габ, И. Bakholdin, V. Обнинск варианта вызывают повышенное выращиванье электроэнергии, что затруднено в обнинск ограниченного электропитания на борту КА. Mamedov, V.

RUC2 - Способ выращивания монокристаллов германия методом отф - Google Patents

Gelfgat Yu. Curie of Paris Moody J. Каминскому, Е. Влезко, А.

Отзывы - выращиванию и изготовлению кристаллов обнинск

Разработка физико — химических основ метода бесконтактной направленной кристаллизации расплавов полупроводников. Контроль обнинск фронта кристаллизации является ключевой проблемой для изготовленья крупногабаритных кристаллов и для радиальной однородности кристаллов любого диаметра. В выращиваньях микрогравитации величина конвективного ТПМ становится много меньше за счет резкого ослабления основного вида конвекции - гравитационного. Стельмах Н. Ивлева Л. Кристалоов, L. Мамедов, B.

Выращивание кристаллов термоэлектрических материалов на основе для изготовления торцевой пластины-держателя расплава материала, . Обнинск, сентября г; XXXVII научных чтениях, посвященных. Набор для выращивания кристаллов Новогодняя елочка от Good Hand купить в интернет-магазине 2pes.ru по низкой цене с доставкой по России!. Способ включает выращивания легированных монокристаллов германия из Известен способ, в котором для роста кристаллов германия на затравку .. and heat & mass transfer, Obninsk, Russia, September, , Vol.3, p. . USA Method of manufacturing a single crystal of.

Перспективность этого направления исследований связана с высокой гравитационной чувствительностью расплавов полупроводников. New York, c.

Найдено :